中國加速建設科技強國之評估
2020.11.20
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壹、新聞重點
2020年10月北京召開中共十九屆五中全會,會中通過《中共中央關於制訂國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標的建議》。其中,宣示中國將在2035年在關鍵核心技術實現重大突破,進入創新型國家前列。同時,中國將以科技自立自強做為國家發展的戰略支撐,深入實施科教興國等戰略,加快建設科技強國。為此,中國將強化國家戰略科技力量、制訂科技強國行動綱要,並瞄準人工智慧、量子通訊、集成電路(IC,即積體電路)、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等先進科技領域,實施具前瞻性和戰略性的重大科技計畫。[1]
貳、安全意涵
一、習近平之國家建設總目標是中國全面數位轉型
2017年,中國「十九大」提出國家建設總目標為:「建設科技強國、質量強國、航天強國、網絡強國、交通強國、數字中國、智慧社會」。這是中國整體脫胎換骨的「數位轉型」構想,關鍵在於尖端科技之發展與應用。中國中科院和中國工程院的《百年科技強國發展戰略研究》,則提出中國建設科技強國之模式和路徑,並針對基礎科學、國防科技、民生前沿、人才培養等四個面向提出重點戰略。[2]未來5年,若十四五規劃之目標能如期達成,中國的國家實力和全球地位恐將大幅躍升。
二、十四五規劃指出中國重點發展之高科技領域
中國國務院在2015年發佈《中國製造2025》時,曾列出10項關鍵產業,包括:半導體、AI製造與機器人、航空航天、高技術船舶、軌道裝備、新能源汽車、電力裝備、農業裝備、新材料、生醫等產業。其中,中國希望2025年能在人工智慧(AI)、5G通訊、物聯網(IoT)、自駕車、新電池技術等領域成為全球領先者。習近平在2018年提出中國國家發展主軸時,則明確指出要推動互聯網、大數據、人工智慧三者與實體經濟之深度融合。到了今(2020)年的十四五規劃,中國設定的先進科技領域已有所更新。除了5G通訊、物聯網和自駕車逐漸落實在人們日常生活之外,中國北斗導航系統在2020年完成基本部署,在量子通訊、人工智慧、無人機等方面也具有領先優勢,因此,中國有實力可在次世代科技領域和美國一較高下。
參、趨勢研判
一、中國將全力突破其高科技關卡
美國對中國進行科技封鎖,讓中國得以瞭解其科技短板清單。例如:光刻機、高階晶片、作業系統、航空發動機短艙、手機射頻元件、中型燃氣渦輪機、光學雷達等,已被中國設定為十四五時期首要的科研課題。另一方面,中國在十四五時期也準備投入10兆元人民幣發展第三代半導體,以與美日歐等先進國家並駕齊驅。[3]第三代半導體之晶圓不需達到奈米等級,且中國擁有充足的稀土資源,並已有完整的產業鏈,其未來發展對我國半導體產業和經濟發展是否構成威脅?值得密切注意。
二、半導體浮濫投資問題須先行處理
不過,中國在決心突破高科技關卡和發展第三代半導體之前,可能必須先處理半導體投資浮濫之問題。半導體產業是實現數位國家或數位經濟之關鍵,但是其發展需要大量資金的長期投入、相應成熟的技術和充足的科技人才。中國地方政府為了配合中央政府半導體產業自主化政策及爭取國家「大基金」之補助,一窩蜂胡亂招商引資。其後果是自2018年以來,江蘇、四川、湖北、貴州和陝西等地陸續傳出大型半導體投資案停工破產之例。2020年8月,投資千億元人民幣的湖北武漢弘芯半導體傳出財務危機,連花費數千萬美元向荷蘭艾司摩爾(ASML)購入、中國唯一的7 奈米晶圓光刻機也被銀行抵押。半導體投資浮濫問題嚴重到中國國家發改委都不得不出面宣示「誰支持、誰負責」。[4]這顯示中國半導體產業之實況恐不如表象或宣傳般美好,一連串大型半導體投資破產及衍生的失業問題,可能引發中國經濟動盪或社會不安。
三、以「新基建」做為內循環經濟和科技強國之基礎
中國在2020年啟動「新基建」(新型基礎設施建設),預計2020-2025年間投入10兆元人民幣建設完成。其主要內容分為三大部分:通訊基礎設施、融合基礎設施、創新基礎設施,並規劃七大重點領域:5G、AI、大數據、工業互聯網(IIoT)、特高壓、城際軌道交通、新能源汽車充電樁等。「新基建」之目的是希望以擴大內需帶動經濟成長,增強城市化和產業數位化,加速朝科技強國發展。中國也規劃了京津冀、長三角、粵港澳等北中南三大城市群,要求各城市政府架設5G網路、安裝監視器和感測器,支援自駕車、智慧工廠和社會監視等,並建造大型城市群之間的高速鐵路,以打造具中國特色的數位國家。然而,即使硬體建設都能如期完成,民間消費和投資能否順利催動?人數眾多的農民工之收入能否翻倍增長?國際資金如何引入?可能都有待後續觀察。
[1] 〈【十四五規劃】中央對十四五與2035建議全文公布 合共60條〉,《香港經濟日報》,2020年11月3日,https://china.hket.com/article/2793459/%E3%80%90%E5%8D%81%E5%9B%9B%E4%BA%94%E8%A6%8F%E5%8A%83%E3%80%91%E4%B8%AD%E5%A4%AE%E5%B0%8D%E5%8D%81%E5%9B%9B%E4%BA%94%E8%88%872035%E5%BB%BA%E8%AD%B0%E5%85%A8%E6%96%87%E5%85%AC%E5%B8%83%E3%80%80%E5%90%88%E5%85%B160%E6%A2%9D%20%C2%A0。
[2] 〈百年科技強國發展戰略研究報告二稿研討會召開〉,《中國科協創新戰略研究院》,2018年9月10日,https://www.cnais.org.cn/html/news/tpyw/2018/0910/1517.html。
[3] 第三代半導體之主要原料是碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN),其晶片可廣泛用於第5代射頻晶片、軍用雷達和電動汽車。第一代和第二代半導體之原料則以矽(Si)和鍺(Ge)為主。
[4] 〈千億晶片大騙局!武漢弘芯傳撤武漢 轉赴廣州繼續騙〉,《自由時報》,2020年9月29日,https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3306477;〈百億晶片計畫爛尾 中國發改委:誰支持誰負責〉,《中央社》,2020年10月20日,https://www.cna.com.tw/news/acn/202010200190.aspx。